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ORCAD/PSPICE 9模型参数修改技巧

更新时间:2015-12-17 13:35:20  点击次数:2228次 打印
电子设计自动化EDA技术发展和应用对电子设计发展起了巨大推动作用。EDA技术深入发展和广泛应用,带给电子设计师更完善设计方法,更短设计周期,使其产品更具竞争力。当我们需要一些特定性能元件而库中没有该元件时,可以通过元件编辑程序新建其仿真模型参数或修改现有元件仿真模型参数以做出合乎要求新元件。

电子设计自动化EDA技术发展和应用对电子设计发展起了巨大推动作用。EDA技术深入发展和广泛应用,带给电子设计师更完善设计方法,更短设计周期,使其产品更具竞争力。当我们需要一些特定性能元件而库中没有该元件时,可以通过元件编辑程序新建其仿真模型参数或修改现有元件仿真模型参数以做出合乎要求新元件。 

常用情况就是在已有元件仿真模型参数基础上将其修改为合乎要求元件。得到新元件也可在调用后通过修改其原有参数得到符合要求新参数模型元件。参数修改一般步骤是:调用库中原有元件;打开原有元件模型参数窗口;修改参数;保存参数修改后元件,即得新元件;仿真验证。

下面以硅整流二极管D1N4002为例,通过如上步骤来修改参数,以降低其门槛电压Vb。

1、调用原有元件。从原有元件库Diod.odb中调用硅整流二极管D1N4002。

2、打开原有元件模型参数窗口。选中电路图中D1N4002,点击右键,后选取菜单中EDIT PSPICE MODEL,则出现MODEL EDITOR窗口。

二极管模型语句一般格式如下:

.MODEL <model name> D [model parameters]

其中model name是模型名,D是二极管类型代号,model parameters是模型参数及其值,在本例中IS是饱和电流,N是注入系数,RS是欧姆电阻,EG是禁带宽度,CJO是零偏PN结电容,M是梯度因子,VJ是结电势,FC是正偏耗尽电容系数,NR是ISR发射系数,BV是反向击穿电压,IBV是反向击穿电流,TI是渡越时间。

3、修改参数。将饱和电流参数IS由原来14.11E-9改为14.11E-8

4、存盘。将参数修改后元件保存,则得到符合要求新元件。

5、仿真验证。对新、老两个元件设置相同直流扫描分析参数,扫描电压为Vi,由-100V到20V,步长为0.01V,分别对原有元件和新元件进行仿真。运行后将其各自特性曲线集合到同一窗口下。对比两二极管V-I特性曲线,左边是修改后,右边是未修改,可以看到整个正向偏压部分曲线向左移动,门槛电压Vb变小了。可见修改后二极管即是符合要求新元件。
对于入网ORCAD用户可以利用其元件信息系统从50多万个远程数据库查找或下载120万个元件,双击感兴趣元件就可以把它们摆到原理图上,同时元件参数及信息和数据库纪录保持着一致,可以从原理图上直接查看有关该元件信息,或者把这些信息打印出来。选择和搜寻功能被集成在ORCAD Capture界面上,非常直观,只要输入元件号、封装形式等其他数据,就能自动查找到和下载所需元件。

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