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高密度等离子刻蚀机

更新时间:2019-08-26  点击次数:783次 打印
      等离子刻蚀机,又叫等离子蚀刻机、等离子平面刻蚀机、等离子体刻蚀机、等离子表面处理仪、等离子清洗系统等。等离子刻蚀,是干法刻蚀中最常见的一种形式,其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体,由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体,从而形成了等离子或离子,电离气体原子通过电场加速时,会释放足够的力量与表面驱逐力紧紧粘合材料或蚀刻表面。

主要配置:

载片(Wafers):直径100mm、50mm及小碎片 (up to 100 mm wafers)
六路气体 (Gas lines):C4F8、SF6、CHF3、Ar、O2、PN2
射频源(Sources):
ICP源:3KW,13.56MHz (ICP180 power: 3kW, 13.56MHz);
RF源:600W,13.56MHz (ICP RF power: 600W, 13.56MHz);
LF脉冲源:300W,350~ 460 KHz (SOI power300W, 350 ~460 KHz)
下电极(Lowerelectrode):直径240mm氦气背冷辅助冷却 (240mm with backside helium cooling)
载片台温度范围(Temperature range):
冷却液工艺- 30℃~ 80℃ (HTR /Chiller : - 30℃~ 80℃  );

液氮低温/加热工艺- 150℃~ 400℃ (Liquid nitrogen cryo-cooled / heated process: -150℃~400℃

技术特点:

低损伤刻蚀(Low damage etching)
1、硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);

2、下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);

3、传动滚轴易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);

4、成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
高速率SiO2刻蚀(High rate etching of SiO2)
高速率各向异性Si刻蚀(High rate anisotropic etching of Si)

目前,龙人集团通过PCB抄板、PCB设计、芯片解密已掌握高密度等离子刻蚀机的全套技术资料,可根据客户的要求进行二次开发。龙人集团不仅可为广大医疗机构长期提供产品的PCB抄板、芯片解密、PCB设计、IC反向设计、代码反汇编、样机制作、SMT加工、PCBA代工代料、软硬件二次开发等服务,还提供设备维保、维修及软硬件升级,如有相关服务需求可联系我们。
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